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IPD053N08N3 G  晶体管 Infineon 产品属性 

制造商: Infineon 
产品种类: MOSFET   
技术: Si 
安装风格: SMD/SMT 
封装 / 箱体: TO-252-3 
晶体管极性: N-Channel 
通道数量: 1 Channel 
Vds-漏源极击穿电压: 80 V 
Id-连续漏极电流: 90 A 
Rds On-漏源导通电阻: 4.4 mOhms 
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V 
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V 
Qg-栅极电荷: 69 nC 
工作温度: - 55 C 
工作温度: + 175 C 
Pd-功率耗散: 150 W 
通道模式: Enhancement 
商标名: OptiMOS 
封装: Cut Tape 
封装: MouseReel 
封装: Reel 
配置: Single  
高度: 2.3 mm  
长度: 6.5 mm  
产品: Power MOSFETs  
晶体管类型: 1 N-Channel  
宽度: 6.22 mm  
商标: Infineon Technologies  
正向跨导 - 值: 56 S  
下降时间: 10 ns  
产品类型: MOSFET  
上升时间: 66 ns  
工厂包装数量: 2500  
子类别: MOSFETs  
典型关闭延迟时间: 38 ns  
典型接通延迟时间: 18 ns  
零件号别名: IPD053N08N3GBTMA1 SP000395183 IPD053N08N3GBTMA1  
单位重量: 4 g  

IPD053N08N3 G  晶体管 Infineon 产品图片