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IPD35N10S3L-26  晶体管  Infineon 产品属性 

制造商: Infineon 
产品种类: MOSFET 
RoHS:  详细信息  
技术: Si 
安装风格: SMD/SMT 
封装 / 箱体: PG-TO-252-3 
晶体管极性: N-Channel 
通道数量: 1 Channel 
Vds-漏源极击穿电压: 100 V 
Id-连续漏极电流: 35 A 
Rds On-漏源导通电阻: 24 mOhms 
Vgs - 栅极-源极电压: 10 V 
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.2 V 
Qg-栅极电荷: 30 nC 
工作温度: - 55 C 
工作温度: + 175 C 
Pd-功率耗散: 71 W 
通道模式: Enhancement 
资格: AEC-Q101 
商标名: OptiMOS 
封装: Cut Tape 
封装: MouseReel 
封装: Reel 
配置: Single  
高度: 2.3 mm  
长度: 6.5 mm  
系列: OptiMOS-T  
晶体管类型: 1 N-Channel  
宽度: 6.22 mm  
商标: Infineon Technologies  
下降时间: 3 ns  
产品类型: MOSFET  
上升时间: 4 ns  
工厂包装数量: 2500  
子类别: MOSFETs  
典型关闭延迟时间: 18 ns  
典型接通延迟时间: 6 ns  
零件号别名: IPD35N10S3L26ATMA1 SP000386184 IPD35N1S3L26XT IPD35N10S3L26ATMA1  
单位重量: 4 g

IPD35N10S3L-26  晶体管  Infineon 产品图片