IPD50N06S3-09 晶体管 Infineon_现代芯城（深圳）科技有限公司

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产品分类

IPD50N06S3-09 晶体管 Infineon

型号/规格：

IPD50N06S3-09

品牌/商标：

Infineon

Vds-漏源极击穿电压：

55 V

Id-连续漏极电流：

50 A

Rds On-漏源导通电阻：

9 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压：

20 V

询价

产品信息

IPD50N06S3-09 晶体管 Infineon 产品属性
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 50 A
Rds On-漏源导通电阻: 9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
工作温度: - 55 C
工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 107 W
通道模式: Enhancement
配置: Single
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 6.22 mm
商标: Infineon Technologies
下降时间: 37 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 42 ns
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 26 ns
典型接通延迟时间: 23 ns

单位重量: 350 mg

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