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IPD053N08N3 G 晶体管 Infineon 产品属性
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-252-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 80 V
Id-连续漏极电流: 90 A
Rds On-漏源导通电阻: 4.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 69 nC
工作温度: - 55 C
工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 150 W
通道模式: Enhancement
商标名: OptiMOS
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
配置: Single
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
产品: Power MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 6.22 mm
商标: Infineon Technologies
正向跨导 - 值: 56 S
下降时间: 10 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 66 ns
工厂包装数量: 2500
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 38 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
零件号别名: IPD053N08N3GBTMA1 SP000395183 IPD053N08N3GBTMA1
单位重量: 4 g
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